为便于供应商及时了解政府采购信息, 根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》 (财库〔2020〕10号)等有关规定,现将南京大学2024年政府采购意向公开(第28批)政府采购意向公开如下:
序号 | 采购项目名称 | 意向编号 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购日期 | 备注 |
1 | 南京大学鼓楼校区报警中心改造 | 202407106 | A02021103 LED 显示屏,A02091102 通用摄像机,A02010104 服务器 | 本项目采购内容为改造鼓楼校区报警中心,需新建LED大屏;扩容云存储系统,满足关键部位90天存储需求;在校园内新增摄像机,实现夜间全彩效果。 | 420 | 2024年08月 | |
2 | 南京大学2024-2025年度日常维修工程 | 202407107 | B08010000 房屋修缮 | 本项目为南京大学仙林校区、鼓楼校区以及浦口校区校舍日常维修工程、文物建筑日常维修工程、玻璃更换及幕墙日常维修工程、室外设施日常维修工程、防水日常维修工程、日常维修水电保障工程土建施工配合、电力设施设备维修保障和故障应急抢修工程等施工及保修。 | 3000 | 2024年08月 | |
3 | 南京大学仙林校区学生宿舍二组团淋浴间改造 | 202407108 | A05020111 淋浴房 | 南京大学仙林校区学生宿舍二组团淋浴间改造包括约5080平方米隔断的更新,旧隔断的拆除及新隔断的采购、安装、调试等。 | 276.7 | 2024年08月 | |
4 | 南京大学鼓楼校区四号开闭所建设(部分高压电缆敷设) | 202407109 | B06039900 其他电力系统安装 | 南京大学鼓楼校区四号开闭所建设(部分高压电缆敷设),施工内容主要包括校内管网内约1400米10kV400高压电缆敷设、调试送电及保修。 | 160 | 2024年08月 | |
5 | 激光扫描共聚焦显微镜 | 202407110 | A02100301 显微镜 | 南京大学拟采购激光扫描共聚焦显微镜一套,主要用于组织切片、生物材料荧光标记、活细胞荧光标记的高空间分辨率成像。主要参数要求如下:不少于四个独立的高灵敏度荧光检测器,全固态激光器≥5根,光谱检测范围≥400-900nm。质保≥1年。 | 210 | 2024年10月 | |
6 | PECVD化学气相沉积设备 | 202407111 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购PECVD化学气相沉积设备一套,要求:8英寸、ICP 电源+反应区温控系统、配 6 路工艺气路。质保期1年。 | 350 | 2024年10月 | |
7 | 磁控溅射薄膜沉积设备 | 202407112 | A02100409 磁式分析仪 | 南京大学拟采购磁控溅射薄膜沉积设备一套,要求:1. 衬底4英寸向下兼容;2. 6个2英寸靶枪;3. 溅射速率0.01nm/s-1nm/s; 4. 本底真空:8E-6 Torr; 5. 温度:室温-800℃;6. 转速0-20RPM; 7. 包含进样室。质保期1年。 | 155 | 2024年10月 | |
8 | low-k介质沉积设备 | 202407113 | A02052401 真空获得设备 | 南京大学拟采购low-k介质沉积设备一套,要求:1. 极限真空低于5.0E-5Pa,恢复真空15分钟之内达到2E-3Pa;2. 配置电子枪数量≥1,能够蒸SiO2、Al2O3、MgF2等镀膜材料;3. 射频辅助等离子源1套,离子流密度分布均匀;4. 石英晶体膜厚控制系统1套 ;5. 光学膜厚仪1套,监控波长范围350-1100nm,波長精度≤±1nm;基底最高加热温度:≥350℃,均匀性≤10℃。质保期1年。 | 250 | 2024年10月 | |
9 | ICP电感耦合等离子体刻蚀设备 | 202407114 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购ICP电感耦合等离子体刻蚀设备一套,要求:1. 腔室极限真空优于0.05mTorr,腔室漏气率优于1mTorr/min,控压范围2mTorr~100mTorr,控压精度±0.2mTorr;2. 片内/片间刻蚀不均匀性≤5%,极差法计算。质保期1年。 | 150 | 2024年10月 | |
10 | 超声扫描显微镜 | 202407115 | A02100301 显微镜 | 南京大学拟采购超声扫描显微镜一台,要求:1.最大扫描速率: 1000mm/s; 2.扫描范围:400mm x400mm; 3.扫描轴定位精度:X/Y轴± 0.5 μm; 4.采样速率: 1G/s、1.5G/s、3G/s可选。质保期1年。 | 120 | 2024年10月 | |
11 | 真空互联双腔原子层沉积设备 | 202407116 | A02052401 真空获得设备 | 南京大学拟采购真空互联双腔原子层沉积设备一套,要求:真空双腔结构,最大可放置直径 8 英寸晶圆; 6路液/固体反应物源路+4 路气体反应物工艺气路。质保期1年。 | 600 | 2024年10月 | |
12 | 晶圆退火设备 | 202407117 | A02052402 真空应用设备 | 南京大学拟采购晶圆退火设备一套,要求:8英寸、最高1150度。质保期3年。 | 150 | 2024年10月 | |
13 | 真空退火设备 | 202407118 | A02052402 真空应用设备 | 南京大学拟采购真空退火设备一套,要求:最高1000度、4路气体可选、配流量计。质保期3年。 | 100 | 2024年10月 | |
14 | 通用半导体刻蚀机 | 202407119 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购通用半导体刻蚀机一台,要求:8英寸兼容、4路气体、可加热至不低于400摄氏度。质保期1年。 | 550 | 2024年10月 | |
15 | 高速误码仪 | 202407120 | A02080599 其他光通信设备 | 南京大学拟采购高速误码仪一台,要求:1、支持NRZ、PAM4、PAM6、PAM8等调制格式;2、2-120GBaud速率覆盖范围3、具备FEC符号错误纠正功能。质保期:3年。 | 800 | 2024年11月 | |
16 | 宽带任意波形发生器 | 202407121 | A02111400 声源、声振信号发生器 | 南京大学拟采购宽带任意波形发生器一台,要求:1.最高采样速率:224G Sample/s;2.垂直分辨率:8Bit;3.输出信号带宽:最高65GHz;4.输出幅度:400 MHz时最高到5V; 5.通道数:2,可以实现差分输出,可升级为4通道。质保期:3年。 | 660 | 2024年11月 | |
17 | 原型验证系统 | 202407122 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购原型验证系统三套,要求:单机台支持1.96亿门设计容量,可灵活配置不同组合需求。质保期:1年。 | 450 | 2024年11月 | |
18 | DDR4/5控制器和PHY | 202407123 | A02010207 通信控制器 | 南京大学拟采购DDR4/5控制器和PHY一套,要求:1.预先集成的控制器和PHY;2. 支持DDR4/5,标准电压支持5600Mbps,加压支持6400Mbps,支持多种DIMM;3.支持DFI 5.1/5.0/4x;4.位宽最多支持80bit;5.支持DFS,最多4个频率,支持低功耗模式;6.内嵌处理器支持灵活的训练机制和初始化流程;7.支持管脚互换,BIST自测试等多种功能。质保期:1年。 | 500 | 2024年11月 | |
19 | PCIe5控制器 | 202407124 | A02010207 通信控制器 | 南京大学拟采购PCIe5控制器一套,要求:1.支持PCIe1/2/3/4/5;2.支持RP,EP两种模式;3.支持PIPE4.4/5.2和Raw Interface;4.支持AXI和CHI总线接口。质保期:1年。 | 500 | 2024年11月 | |
20 | 步进式光刻机(0.18-0.35) | 202407125 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购步进式光刻机(0.18-0.35)一台,要求:8英寸兼容、分辨率达到350nm及以下,对准精度小于75nm。质保期1年。 | 3366 | 2024年11月 | |
21 | 步进式光刻机涂胶显影系统 | 202407126 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购步进式光刻机涂胶显影系统一套,要求:8英寸,自动化,实现≥130nm的显影工艺模组(8寸); 可实现精准的周边曝光功能,Spec:±0.1mm。质保期1年。 | 386 | 2024年11月 | |
22 | 超高真空双腔互联金属镀膜设备 | 202407127 | A02052402 真空应用设备 | 南京大学拟采购超高真空双腔互联金属镀膜设备一套,要求:8英寸、双腔、10靶位、带高真空过渡舱、真空度低于1E-9Torr。质保期1年。 | 772 | 2024年11月 | |
23 | RTP快速退火设备 | 202407128 | A02052402 真空应用设备 | 南京大学拟采购RTP快速退火设备一套,要求:最高1150度、8英寸兼容、升温速率100度/s(<800度)、非接触式温度传感。质保期1年。 | 144 | 2024年11月 | |
24 | 高k氧化物原子层沉积系统 | 202407129 | A02052401 真空获得设备 | 南京大学拟采购高k氧化物原子层沉积系统一套,要求:8英寸兼容、6路前驱体、具备plasma功能、热法兼容。质保期1年。 | 217 | 2024年11月 | |
25 | 选择性原子层刻蚀系统 | 202407130 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购选择性原子层刻蚀系统一套,要求:1.采用不锈钢和进口铝材制成,腔室直径可放置8英寸晶圆;2.ICP电源和下电极电源,配备基片加热系统;3.标配6路工艺气路,包含液体源路,以及耐腐蚀性气路的防腐流量计;4.干泵+分子泵+粉尘过滤器,本底真空小于5E-6Torr,真空漏率小于5E-7 Pa·L/S;5.PLC+工控机自动控制系统;6.短轴距设计,包含预真空室和真空机械手,用于基片的传输。质保期1年。 | 217 | 2024年11月 | |
26 | 无图形晶圆检测设备 | 202407131 | A02120105 光学仪器检测器具 | 南京大学拟采购无图形晶圆检测设备一套,要求:支持晶圆尺寸4’’/6’’/8’’;支持晶圆类型Bare SiC/SiC EPI;缺陷类型颗粒,划痕,微管,凹坑,凸起,层错,基平面位错,三角形缺陷,掉落物缺陷,胡萝卜缺陷,台阶聚并等;6’’检测效率>20WPH (标准分辨率);暗场DF光源波长320~330nm Laser灵敏度≤100 nm;明场DIC光源波长370~380nm Laser灵敏度≤ 3 nm;荧光PL激发光源320~330nm/370~380nm Laser;收集波长:可同时探测近红外、近紫外、可见光等多波段。质保期1年。 | 600 | 2024年11月 | |
27 | 自旋材料超高真空磁控溅射设备 | 202407132 | A02052402 真空应用设备 | 南京大学拟采购自旋材料超高真空磁控溅射设备一套,要求:1.具有两个沉积工艺腔室,每个沉积腔集成至少6个3英寸可原位偏转超高真空共溅射靶枪,并预留1个3英寸正溅射靶枪接口。所有靶枪均采用稀土磁铁,磁铁和冷却水隔离;所有靶枪可以承受200℃烘烤和10-11 Torr真空;2.电动控制连续旋转样品台,旋转速率控范围为0~20rpm,样品台上基片最高加热温度800℃,PID温控精度±1℃,具有射频偏压功能;3.在6英寸(去除边缘5mm)的基片范围内薄膜沉积均匀性可达到±1.5%;4.主腔体极限真空优于6.75x10-9 Torr,采用下游压力控制并配1000位阀门。质保期:1年。 | 1450 | 2024年11月 | |
28 | 隧穿磁电阻比率测量仪 | 202407133 | A02100409 磁式分析仪 | 南京大学拟采购隧穿磁电阻比率测量仪一台,要求:1.范围25mm,分辨率 50nm,卡盘可容纳150 x 150mm的样品;2.分辨率±0.1mm ;3.样品尺寸150 x 150mm,探针工作区域150 x 150mm;4.磁场强度± 60mT ,均匀性< 1% ,设定分辨率0.1%。质保期:1年。 | 220 | 2024年11月 | |
29 | 振动样品磁强计 | 202407134 | A02100409 磁式分析仪 | 南京大学拟采购振动样品磁强计一台,要求:1.室温下的最大场强:>2.6T,室温磁性测试灵敏度:5X10-8emu,数据采集速率:10 ms/点;磁场分辨率:1m0e;2.磁场变化率10000 0e/s;磁矩稳定性:全量程的±0.05%/天;3.电磁体电源需采用水冷模式,电磁体电源要求采用双极四相限电源;4.电磁铁控制电源调制响应:≤0.17Hz(在±70A正弦波正常负载),具有DC和AC模式。质保期:1年。 | 144 | 2024年11月 | |
30 | IBE离子束刻蚀设备 | 202407135 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购IBE离子束刻蚀设备一套,要求:1.配备LL传送腔,反应腔室极限真空<7*10e-7torr,腔室漏率<1mTorr/min;2.配备8英寸下电极,下电极温度范围5~35℃,温度均匀性≤5%设定值;3.下电极转动角度范围-90~80°,step 1°;下电极自转转速范围0~20rpm;4.离子束电流范围0~1000mA,离子束能量100~1000eV;射频电源最大功率1000W;5.双层Mo栅网,中和器电流0~1500mA6.刻蚀速率>100A/min,片内片间均匀性<5%。质保期:1年。 | 560 | 2024年11月 | |
31 | 低温强磁场多功能物性测量系统 | 202407136 | A02100409 磁式分析仪 | 南京大学拟采购低温强磁场多功能物性测量系统一套,要求:1.系统采用闭循环制冷,无需灌装液氦或液氮等制冷液;2.制冷机类型及规格:脉冲管制冷;3.温度范围:1.9K-400K 连续变温;4.降温时间:从 300K 降至稳定在 1.9K ≤50min (典型值~40min);5.温度稳定性:±0.1% for T < 20K;±0.02% for T > 20K(典型值);6.纵向磁体,最大磁场强度:±9T;7.扫描速度:0.1-200Oe/sec;8.从零场加至满场所需时间:≤8分钟;9.样品托底座电学针脚:12个;10.样品腔内径:≤25.4mm。质保期:1年。 | 400 | 2024年11月 | |
32 | 8英寸金属有机化学气相沉积系统(MOCVD) | 202407137 | A02052401 真空获得设备 | 南京大学拟采购8英寸金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)一套,要求:具备GaN基半导体材料外延生长功能;具备多种衬底兼容能力2/4/6/8寸,其中6/8寸衬底为单腔单片生长模式。质保期1年。 | 1150 | 2024年11月 | |
33 | 紫外接触式曝光机 | 202407138 | A02110204 半导体器件参数测量仪 | 南京大学拟采购紫外接触式曝光机一台,要求:用于化合物半导体晶圆的光刻图案化,兼容8英寸及以下晶圆。质保期3年。 | 400 | 2024年11月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。潜在供应商如拟介绍企业信息或产品信息,请发送至bid@nju.edu.cn;邮件名称务必为对应项目的“意向编号+采购项目名称”。
南京大学招标办公室
2024年07月19日